450毫米晶圆(18寸)是十年前就在讨论的概念,然而由于这十年间半导体世界被各种障碍搞得团团转,以至于更大的晶圆都被人遗忘了,此次ITRS给出了新的时间表, 2021年的DRAM工艺上会用到450毫米大晶圆,还要等五年。
到了2021年,DRAM的核心面积将缩小到780平方纳米,当今的数字为3480,2021将是最后的finfet(鳍式场效应晶体管),在2030年会看到2nm工艺。
今 天的当红小生Finfet还有5年的发展期,进入7nm的时间表是2019年,2021年在5nm上终结。让Athlon64大红大紫的SOI工艺(绝缘 体上硅)则会在2017年终结,末代皇帝将是10nm FDSOI,取代Finfet的将是VGAA(vertical gate all-around),2021年登场,预计会在2030年进入2nm制程,这时候的核心电压仅为0.4V。制程的未来之路是坎坷的,5nm以后会怎样 仍然有很大变数。
NAND闪存,大家不要慌,不会有什么QLC了,前些年在刚引入TLC NAND(3bit)的时候业界还在预测QLC(4bit)的存在,经过这些年的发展可能业界自己对QLC的可行性已经失去信心,毕竟TLC已经是毒瘤般 的表现,于是ITRS的预测中完全没有看到QLC的存在,万幸。
未来NAND仍然得靠3D堆叠来实现扩容,当前单封装密度为三星850EVO上48层堆叠的256Gbit,到了2022年可以达到128层1Tbit,2030年到512层4Tbit,这时候就会看到64TB的SSD了。
ITRS 对手持平台的预测是基于当前手机SOC蓬勃发展的,2016年6核CPU 12核GPU,26.9Gbps内存带宽,4.42瓦功耗的数据实际已经开始偏离效率,从2014年开始手机SOC对先进工艺的渴望就赶上了台式机 CPU,以至于近年台积电不断表示10nm要比intel早,intel也毫不在乎。到2019年也许还能看到18核3.2Ghz,49GPU核心的怪 物,但2024年真能看到3.8Ghz 32核CPU 189核GPU轻松实现8K应用的怪物么?值得怀疑,毕竟今天的表现都已经是对当前工艺的深度榨取。
传统意义上的摩尔定律早已消亡,但在今年的ITRS报告中依旧可以清楚的看到摩尔定律的影子,尤其是那张移动SOC的发展路线图,乐观程度堪比没有撞上90nm大墙时候的intel,这就是所谓的永生吧。