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nic2017/01/04
CES2017 | 高通骁龙835正式公布:10nm打造 功耗仅为801一半

解决了与魅族的专利纠纷后,移动通信巨头高通总算为自己的2016划上了句点。事实上回首这一年,虽不能算顺风顺水,但凭借骁龙820以及高通骁龙652/625等产品的绝佳表现,高通再次捍卫了移动处理器霸主的地位。而在已经到来的2017年,高通也不会乐于将来之不易的地位拱手相让,当老对手MTK仍受困于工艺时,高通骁龙835已经悄悄揭开神秘的面纱。

10nm FinFET工艺 Kyro280登场

从高通骁龙800处理器开始,几乎每一代高通骁龙8系处理器都在半导体工艺方面有所进步,高通骁龙820处理器用上了14nm FinFET工艺,而早在2016年12月,高通就已经公布,高通骁龙835将会首先采用三星10nm FinFET工艺。

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更高的半导体工艺带来了几点好处,首先是芯片封装尺寸的减小,高通骁龙835相比上一代高通骁龙820封装尺寸减小35%,要知道在当前智能手机追求愈发轻薄的当下,ID设计迫使内部元器件的精密度越来越高,更小的芯片尺寸意味着OEM厂商在制造设备时有更大的空间留给其他部件。

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当然这样的体积缩减并不是建立在减少晶体管数量的基础上,10nm FinFET工艺带来了更高的晶体管密度(高通骁龙835拥有30亿根晶体管),同时也意味着更低漏电率,根据高通官方的资料,高通骁龙835相比高通骁龙820实现了25%的功耗降低,在使用VR时的功耗甚至只有后者的一半。

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不过对于一款处理器而言,除了工艺以外,架构也是影响最终性能和功耗的主因。高通骁龙835处理器没有悬念的继续沿用高通骁龙820的Kryo架构,但在时钟频率和核心数上却大有不同,高通将其称为Kyro280。高通骁龙820处理器采用了两簇核心管控2aSMP,2×2.2GHz + 2×1.5GHz的四核心设计;而高通骁龙835则在每个簇中都添上了两颗核心,采用了两簇核心管控4aSMP,其中高性能核心主频达到2.45GHz,而效率核心也提升至1.9GHz。

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可别以为高通骁龙835仅仅是820的提频版,在核心设计上,处理器的L2缓存也直接翻倍,其中高通性能核心拥有2MB L2二级缓存,效率核心则拥有1MB L2二级缓存。在诸如APP加载时间、网页浏览以及VR应用中,更大的二级缓存带来了20%的的性能提升,同时也进一步压榨功耗,延长使用时间。

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文章来自:爱活网
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全部评论 1条
评论
从现在知道的信息来看,应该还是ARM架构,除了ARM也没什么适合移动端的新架构。
还是arm架构吗,听说弄了新架构
EVO_1438 2023/05/25
能把我拍的好看点吗
EVO_1438 2023/05/25
今年realme的声音小了很多啊
EVO_1438 2023/05/25
版权 © 2017 爱活网 Evolife.cn 科技进化生活 [沪ICP备2021031998号]
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