三星正式宣布基于第二代10nm制造工艺的DDR4内存芯片开始投产，并开始压榨自家的生产产能，看来对于国家队进驻的压力，三星不得不加快了新内存的研发进度。

在新的10nm制造工艺加持下，DRAM的芯片尺寸被进一步缩减，同时能耗效率获得了提升。三星为第二代10nm制造工艺引入了一种类似于空气间隔的技术，这也是在DRAM行业内首次采用。因此在DDR4标准电压下内存一下子可以从3600Mbit/s起跳，更重要的是这个速度已经获得了CPU厂商们的认证。

事实上这一次三星宣布新款DDR4投产是分成两个部分，一个是前面提到的DDR4-3600内存，另外一个就是第二代10nm制造工艺。其中后者不会局限于内存产品，还可以运用到三星的其他产品线上，相当于工厂的技术升级，意义更为重大。

此外，新的DDR4芯片单片容量可以达到8GB，相对上一代的3200MT/s的数据传速速率，在1.2V的标准电压下，新芯片能够达到3600MT/s，效率提升15%。芯片内还内置了新的嵌入式数据传感器系统，能够确保更准确的定位到单元中每个存储数据位置，以节省电路设计空间，从而在实际上缩小芯片面积。

三星也表示新的10nm工艺让他们获得了大约30%的生产力提升，特别是在单块300mm的晶圆片上获得了更多DRAM。可以推测的是新的10nm工艺仍然使用浸没式ArF(氟化氩)光刻工具，通过优化和空气隔离的措施减少了电容的放置。同时这套新技术很快会被运用的到包括DDR5、HBM3、LPDDR5和GDDR6的制造上。

目前诸如海盗船、芝奇等公司还没有宣布使用三星的新DRAM芯片，英特尔、AMD、IBM和高通则验证通过了这款内存的的测试，新技术被运用到显卡、内存、手机上只不过是时间的问题。