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首款3D内存技术官宣 2035年能用上1TB内存

众所周知,内存主要负责将显卡、SSD等设备与CPU进行数据交换的工作,但是现在的主流内存也就16GB/32GB,与SSD动辄几TB的规模无法相比。不过,美国NEO半导体公司日前宣布了全球首款3D内存,内存容量将会有最高64倍的容量提升,我们用上1TB及以上内存也不是梦了。1

NEO此前也在研究3D NAND闪存相关技术,推出的3D X-NAND闪存号称解决了TLC、QLC闪存的性能及耐用性问题。这次将3D NAND应用于内存技术,推出了3D X-DRAM,将内存芯片带入了3D时代。

其实,3D X-DRAM技术的思路跟3D NAND闪存类似,都是通过堆栈层数来提高内存容量,类似于闪存芯片中的FBC浮栅极技术,但增加一层Mask光罩就可以形成垂直结构,因此良率高,成本低,密度大幅提升。2

NEO公司表示,2025年推出的第一代3D X-DRAM可以做到230层堆栈,核心容量达到128GB。未来每10年将内存容量提升8倍,到2035年推出1TB容量的3D X-DRAM,相比现在达到了64倍提升。

如果大容量内存得以问世,或许我们可以将系统整个搭载在内存上,或者将那些动辄几百个GB的游戏全部加载,应该系统响应或者读取速度会有质的提升。3 4

全文完
文章来自:爱活网
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从现在知道的信息来看,应该还是ARM架构,除了ARM也没什么适合移动端的新架构。
还是arm架构吗,听说弄了新架构
EVO_1438 2023/05/25
能把我拍的好看点吗
EVO_1438 2023/05/25
今年realme的声音小了很多啊
EVO_1438 2023/05/25
版权 © 2017 爱活网 Evolife.cn 科技进化生活 [沪ICP备2021031998号]
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