SSD不说普及，基本上在2013年之后很少有人会不给自己的PC塞一块SSD当启动盘，不过一旦超出启动盘的用例，比如说想要拿来装个游戏，那500GB及以上的SSD可以让你的钱包感到一阵阵肉痛。好消息是，继东芝拿出QLC闪存颗粒之后不久，合作伙伴西数也宣布搞出了自己的3D QLC闪存颗粒。

相比TLC，QLC再对NAND颗粒里的存储单元多进行一次切割，在单个MLC块里切出4bit，提升单颗闪存颗粒的存储密度。此前64层堆叠的3D TLC NAND单片Die容量为512Gb（64GB），在多切这一刀后变成了768Gb（96GB），用更少的芯片实现更大的存储容量，势必会拉低闪存存储的最低成本，让入门级SSD变得更便宜，也使消费者又可能以更低的价格买到大容量SSD。

然而QLC的代价同样也不能完全忽视，因为切分太多次，它的理论擦写次数相比TLC又降低了好几个级别，不过东芝此前声称用它们的第三代BiCS技术生产SSD，产品的P/E Cycle也能达到1000次，考虑到西数和东芝在闪存上的合作关系，西数采用相同技术生产的颗粒应该也会差不太多。1000次完全擦除在写入量不大的普通桌面应用环境里倒也还能应付，若性能上的差异也能被西数缩小到可以忽略不计，剩下的问题就是QLC颗粒的可靠性是不是能让人完全放心了。

西部数据会在下个月圣克拉拉闪存峰会上展示3D QLC NAND的实际产品，如果西数已经做到这种程度，那消费者将能在今年秋天买到采用3D QLC NAND的SSD——只要他们敢于冒这个尝试新事物的险。

最后补充一点，上个月已经公布的第四代BiCS技术把堆叠层数提高到了96层，而采用新技术的NAND颗粒在下半年才会出样，到明年的时候如果QLC应用没捅什么篓子，SSD的入门应该还会进一步降低。