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0从现在知道的信息来看，应该还是ARM架构，除了ARM也没什么适合移动端的新架构。
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目前，3nm制程工艺的芯片尽管可以实现量产，但良品率不容乐观。
据韩媒报道，三星电子、台积电的 3nm 工艺良品率目前都在 50% 左右，距离业内认为的70%“及格线”还很远。
目前，三星已经向中国客户交付了一款芯片，但由于该工艺省略了逻辑芯片中的 SRAM，因此很难将其视为“完整的 3nm 芯片”。
小编在这里整理一下三星和台积电现如今在3nm制程工艺上遇到的问题：
GAA技术的挑战。
三星的3nm工艺芯片所使用的技术是GAA技术，这是一项全新的技术，相比以往的FinFET有着更好的功耗控制表现，但也代价就是工艺十分复杂。三星虽说工艺良品率有60%，但业内人士表示，实际良品率可能还不到50%，想要吸引大客户，良品率至少需要提高到70%。
继续打磨FinFET工艺，提升良品率。
台积电虽然已经为苹果生产出了3nm的A17Pro芯片，但使用的依然是FinFET工艺，所以A17Pro的性能表现没有达到人们的预期，功耗表现还翻车了，这就让台积电研发新的工艺。目前台积电已经计划推出至少5个不同的工艺，包括已经投产的N3B和N3X。
目前，台积电N3B成本高、良率低，只有70%-80%，而未来即将推出的N3E良品率据说会提高，但栅极间距并不如N3B，也就导致性能不如N3B。
台积电希望通过不断改进技术，让芯片的工艺成熟度和稳定性有所提高，从而满足客户的需求。
量产3nm芯片的确不是一件容易的事，三星和台积电有着多年制造芯片的能力也在此遇到良品率的问题，尽管两者都在努力改善，但离预期的70%及格线仍有一定差距。若谁能率先解决良品率问题，谁就能在3nm芯片上占得先机。
